| BF_2注入湿氧退火时漏电机理探讨 |
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| 引用本文： | 彭进,郑宜钧,江福来. BF_2注入湿氧退火时漏电机理探讨[J]. 固体电子学研究与进展, 1988, 0(4) |
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| 作者姓名： | 彭进 郑宜钧 江福来 |
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| 作者单位： | 无锡微电子联合公司科研中心(彭进，郑宜钧)，无锡微电子联合公司科研中心(江福来) |
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| 摘 要： | <正> 一、引言 用BF_2代替B对CMOS源、漏P管注入具有几方面的优点。第一,束流大;第二,容易形成浅结;第三,湿O_2退火时,依赖于反偏电压,BF_2注入比B注入漏电小1～2个数量级。 在探讨BF_2注入漏电小的机理时,有人提出吸杂效应。吸杂是将杂质和缺陷移出空间
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Study of Leakage Current of BF_2 Implantation for Wet Oxide Annealing |
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| Abstract: | The leakage currents of B,BF2 implantation for dry nitrogen and wet oxide annealing were compared. The leakage current of BF2 implantation is smaller than that of B implantation for wet oxide annealing, because the amorphous layer of BF2 implantation suppresses the growth of stacking fault. |
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