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| 聚酰亚胺LB膜MIS结构C－V特性 | |
| 引用本文： | 林海安,吴冲若.聚酰亚胺LB膜MIS结构C－V特性[J].材料研究学报,1994(1). |
| 作者姓名： | 林海安 吴冲若 |
| 作者单位： | 东南大学 |
| 摘 要： | 本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ一Ｖ特性研究结果．６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０１１ｃｍ－２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５—－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５—－４Ｖ间还出现了另一电容峰值．假设在强电场下隧穿能力剧增，从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区，可以解释这一峰值的出现，考虑到少子注入引入的扩散电容，正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释 |
| 关 键 词： | LB聚酰亚胺膜，MIS隧道结，双电容峰，少子注入，类金属－半导体结 |
C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS |
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| LIN Hat''''an ,WU Chongruo.C- V CHARACTERISTICS OF MIS STRUCTURES WITH LANGMURI-BLODGETT POLYIMIDE FILMS[J].Chinese Journal of Materials Research,1994(1). | |
| Authors: | LIN Hat'an WU Chongruo |
| Affiliation: | Southeast University |
| Abstract: | |
| Keywords: | LB polyimide MIS tunnel junction double capacitance humps minority carrries injection like-metal-Semiconductor junction |
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