| 单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式 |
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| 引用本文： | 阙端麟 徐冬良. 单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式[J]. 电子学报, 1995, 23(2): 71-73 |
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| 作者姓名： | 阙端麟 徐冬良 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室，峨嵋半导体材料研究所 |
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| 摘 要： | 本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。
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| 关 键 词： | 硅 少子寿命 光电导衰减法 |
A Surface Correction Formula for Minority Lifetime Measurement of Silicon Crystals |
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| Que Duanlin,Chen Xiuzhi. A Surface Correction Formula for Minority Lifetime Measurement of Silicon Crystals[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, 23(2): 71-73 |
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| Authors: | Que Duanlin Chen Xiuzhi |
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| Abstract: | Based on both numerial analysis and experimental data,a surface correction formula for minority lifetime measurement of silicon crystals is proposed using high frequency photoconductive decay stimulated by monochomatic light. |
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| Keywords: | Silicon Minority carrier lifetime Photoconductive decay |
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