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热处理温度对磁控溅射AZO薄膜的电学性能影响
引用本文:赵斌,唐立丹,王冰. 热处理温度对磁控溅射AZO薄膜的电学性能影响[J]. 压电与声光, 2017, 39(3): 417-420
作者姓名:赵斌  唐立丹  王冰
作者单位:辽宁工业大学 材料科学与工程学院, 辽宁 锦州 121001
基金项目:国家教育部重点基金资助项目(2012031);辽宁省自然科学基金资助项目(2015020215);辽宁省高校优秀人才计划基金资助项目(LJQ2015050)辽宁省高等学校创新团队基金资助项目(LT2013014)
摘    要:利用射频磁控溅射制备了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,通过X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及四探针等手段对薄膜进行了表征,研究了不同热处理温度对AZO薄膜的形貌、结构和电学性能的影响。研究表明,Al的掺杂体积分数约为1.2%,随着热处理温度的升高,薄膜颗粒大小均匀,AZO薄膜衍射峰强度先增强后减弱,当热处理温度为450℃时,该AZO薄膜的结晶性最好,电阻率最小为0.024 7Ω·cm。

关 键 词:磁控溅射  AZO薄膜  热处理温度  结构特性  电阻率

Effect of Heat Treatment Temperature on the Electrical Properties of AZO Thin Films by Magnetron Sputtering
ZHAO Bing,TANG Lidan,WANG Bing. Effect of Heat Treatment Temperature on the Electrical Properties of AZO Thin Films by Magnetron Sputtering[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2017, 39(3): 417-420
Authors:ZHAO Bing  TANG Lidan  WANG Bing
Affiliation:School of Materials science and engineering, Liaoning University of technology, Jinzhou 121001, China
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering   AZO thin films   the heat treatment temperature   structural properties   resistivity
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