| 不同工作温度下a-Si(n)/c-Si(p)/uc-Si(p )异质结太阳能电池微晶硅背场的模拟计算与优化 |
| |
| 作者姓名： | 杨大洋 刘淑平 彭艳艳 李德利 张棚 |
| |
| 作者单位： | 太原科技大学 应用科学学院 光学,太原科技大学 应用科学学院 光学,太原科技大学 应用科学学院 光学,太原科技大学 应用科学学院 光学,太原科技大学 应用科学学院 光学 |
| |
| 摘 要： | 采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件,模拟了在不同工作温度下微晶硅背场对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响。结果表明,随着背场带隙的增加,开路电压和转化效率都增大。随着背场掺杂浓度的增加,开路电压、填充因子和转化效率都在不断地增加;随着背场厚度的增加,电池性能有所下降。随着电池工作温度的上升,微晶硅背场所对应的最佳浓度掺杂值和最佳厚度值变化不大。但是随着温度的上升,微晶硅背场所对应的最佳带隙值有明显的右移趋势。实验结果为电池的商业化生产提供了实验参数。
|
| 关 键 词： | afors-het 异质结太阳能电池 温度 微晶硅背场 |
| 收稿时间： | 2013-05-27 |
| 修稿时间： | 2013-06-09 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外》下载全文 |
|
