| EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究 |
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| 引用本文： | 古亮 邵丙铣. EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究[J]. 固体电子学研究与进展, 1997, 17(2): 121-126 |
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| 作者姓名： | 古亮 邵丙铣 |
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| 作者单位： | 复旦大学国家微电子材料与元器件微分析中心!上海，200433 |
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| 摘 要： | 重点讨论了在斜波脉冲条件下，EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化，对原有模型进行了补充，修正，所得结果与实验相符。
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| 关 键 词： | EEPROM 浮栅MOS管 阈值电压 Foltox |
Threshold Voltage of Flotox MOSFET in EEPROM |
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| Gu Liang Shao Bingxian. Threshold Voltage of Flotox MOSFET in EEPROM[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 1997, 17(2): 121-126 |
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| Authors: | Gu Liang Shao Bingxian |
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| Abstract: | The threshold voltage of flotox MOSFET under RAMP pulse condition is discussed. The classical model is supplemented. The theoretical results are coincided with experiments. |
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| Keywords: | EEPROM Floating Gate MOSFET Threshold Voltage Flotox |
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