半导体SiC研究开发现状

SiC的主要优势是它有着较宽的带隙。4H-SiC的带隙Eg为3．2eV，而GaAs、Si的Eg分别为1．43eV和1．12eV；GaN和金刚石的Eg更宽，分别为3．4eV和5．6eV；较宽Eg材料中本征载流子浓度低，所制器件可在较高温度下工作、漏电流小。原则上，宽带隙材料适合于制作耐高温、高频／紫外光探测、高结电场强度和高频开关等器件。对SiC的研究、开发己历20年，在某些应用领域己商品化。GaN在RF（射频）电子学应用方面很受关注，对GaN的研发也有10来年。某些实验室己做出了若干金刚石器件但离实用尚有较大距离。