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| 等离子体提纯硅粉的实验研究 | |
| 引用本文： | 李忠,王敬义.等离子体提纯硅粉的实验研究[J].微细加工技术,1996(1):44-48. |
| 作者姓名： | 李忠 王敬义 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
| 摘 要： | 本文阐述了等离子体工艺在硅粉提纯方面的应用，在真空条件下，利用ＨＣｌ或含氯气体化合物，经射频辉光放电形成等离子体与硅粉中的杂质反应，可以在较低的温度下（２００℃～４００℃）、较短的时间（１～２小时）内，除去硅粉中的大部分杂质，而且操作简单，功耗较低。 |
| 关 键 词： | 等离子体 硅材料 气－固反应 提纯 |
PLASMA ENHANCED PURIFICATION EXPERIMENT OF SILICON MATERIAL |
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| Li Zhong, Wang Jingyi, He Xiaoming,Xiao Chengzhang, Zhao Ning.PLASMA ENHANCED PURIFICATION EXPERIMENT OF SILICON MATERIAL[J].Microfabrication Technology,1996(1):44-48. | |
| Authors: | Li Zhong Wang Jingyi He Xiaoming Xiao Chengzhang Zhao Ning |
| Abstract: | |
| Keywords: | plasma silicon material gas-solid reaction purification Supported by National Natural Science Foundation of China |
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