| C60薄层作为CVD金刚石成核区的研究 |
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| 引用本文： | 杨国伟 刘大军. C60薄层作为CVD金刚石成核区的研究[J]. 微细加工技术, 1996, 0(2): 62-64 |
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| 作者姓名： | 杨国伟 刘大军 |
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| 作者单位： | 湘潭大学物理系，郑州大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文研究了在微波等离子体ＣＶＤ系统中，金刚石在Ｃ６０蒸发膜表面的成核行为，观察到金刚石晶核聚集现象，并且讨论了这种成核行为的产生机理。
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| 关 键 词： | C_（60）薄层；金刚石膜；成核 |
STUDY ON C_(60) THIN LAYERS AS NUCLEATION REGIONS OF CVD DIAMOND |
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| Yang Guowei. STUDY ON C_(60) THIN LAYERS AS NUCLEATION REGIONS OF CVD DIAMOND[J]. Microfabrication Technology, 1996, 0(2): 62-64 |
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| Authors: | Yang Guowei |
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| Abstract: | In this paper,the behaviours of diamond nucleation on C60 thin layers arestudied in microwave plasma CVD system. The aggregation of diamond grains isobserved. The nucleation mechanism of aggregation is discussed. |
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| Keywords: | C_(60) thin layer diamond film nucleation |
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