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一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用
引用本文:叶明生 郭玉华. 一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用[J]. 微细加工技术, 1996, 0(1): 49-52
作者姓名:叶明生 郭玉华
作者单位:武汉大学物理系
摘    要:本文介绍了武汉大学200keV离子注入机的改进情况,用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源,使输出流强由几十微安提高到毫安级,离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体BaTiO3陶瓷注入Cu离子,使材料的PTCR突跳幅度增加,室温电阻率提高,证实Cu(2+)离子在PTCR材料晶界起着电子陷阱作用。

关 键 词:离子注入机;贝纳斯离子源;BaTiO_3改性;PCTR特性

A IMPROVED ION IMPLANTER AND ITS APPLICATION IN THE MODIFICATION OF BaTiO_3 CERAMICS
Ye Mingcheng,Guo Yuhua, Gao Quanxiang,Fu Qiang, Peng Yougui. A IMPROVED ION IMPLANTER AND ITS APPLICATION IN THE MODIFICATION OF BaTiO_3 CERAMICS[J]. Microfabrication Technology, 1996, 0(1): 49-52
Authors:Ye Mingcheng  Guo Yuhua   Gao Quanxiang  Fu Qiang   Peng Yougui
Abstract:
Keywords:ion implanter  ion source  modification of ceramics
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