| X波段功率单片放大器的研制 |
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| 引用本文： | 王同祥,武继斌,张务永. X波段功率单片放大器的研制[J]. 半导体技术, 2005, 30(12): 60-62 |
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| 作者姓名： | 王同祥 武继斌 张务永 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立.X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50 Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1.
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| 关 键 词： | 功率单片放大器 器件模型 砷化镓 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)12-0060-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-19 |
| 修稿时间： | 2005-05-19 |
Development of X-Band GaAs MMIC Power Amplifier |
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| WANG Tong-xiang,WU Ji-bing,ZHANG Wu-yong. Development of X-Band GaAs MMIC Power Amplifier[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(12): 60-62 |
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| Authors: | WANG Tong-xiang WU Ji-bing ZHANG Wu-yong |
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| Affiliation: | The 13th Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MMIC power amplifier device mode GaAs |
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