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| 直拉硅单晶时旋转磁场的获得 | |
| 引用本文： | 谢书银.直拉硅单晶时旋转磁场的获得[J].稀有金属,1985(4). |
| 作者姓名： | 谢书银 |
| 作者单位： | 中南矿冶学院 |
| 摘 要： | 一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的热处理过程中,产生堆垛层错、位错环和硅氧沉淀等缺陷。另一方面,氧化物沉淀引入的位错对表面沾污有本征吸杂的作用。因此硅中氧浓度是单晶质量的重要标志。一般直拉硅单晶中的氧浓度都超过1×10~(18)原子/厘米~3,而且单晶头部含量高于尾部。纵向 |
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