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| GeSi量子点的发光特性研究 | |
| 引用本文： | 廖家欣,李西南,周庆华. GeSi量子点的发光特性研究[J]. 电力科学与技术学报, 2004, 19(2): 80-83 |
| 作者姓名： | 廖家欣 李西南 周庆华 |
| 作者单位： | 长沙理工大学,物理与电子科学系,湖南,长沙,410077;长沙理工大学,物理与电子科学系,湖南,长沙,410077;长沙理工大学,物理与电子科学系,湖南,长沙,410077 |
| 摘 要： | 研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过680℃退火30 min,观察到了量子点的光致发光. |
| 关 键 词： | Ge量子点 光致发光 PL光谱 Raman光谱 |
| 文章编号： | 1006-7140(2004)02-0080-04 |
| 修稿时间： | 2004-02-10 |
Study on Brighten Property of the GeSi Quantum Dots |
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