| 退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性 |
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| 引用本文： | 刘中华,何捷,孟庆凯,王静.退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性[J].硅酸盐学报,2007,35(3):348-353. |
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| 作者姓名： | 刘中华 何捷 孟庆凯 王静 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064 |
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| 摘 要： | 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线.结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强.但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大.随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到V02(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性.低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性.这些薄膜的电学性质也有很大不同.
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| 关 键 词： | 氧化钒 物相 真空度 |
| 文章编号： | 0454-5648(2007)03-0348-06 |
| 修稿时间： | 06 30 2006 12:00AM |
RELATIVITY BETWEEN ANNEALING VACUUM AND PHASES OF VANADIUM OXIDE THIN FILMS |
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| LIU Zhonghua,HE Jie,MENG Qingkai,WANG Jing.RELATIVITY BETWEEN ANNEALING VACUUM AND PHASES OF VANADIUM OXIDE THIN FILMS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2007,35(3):348-353. |
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| Authors: | LIU Zhonghua HE Jie MENG Qingkai WANG Jing |
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| Affiliation: | Irradiation Physics and Technology Key Laboratory of National Education Ministry, College of Physics Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium oxides phase vacuum |
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