| 硫系化合物随机存储器研究进展 |
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| 引用本文： | 封松林,宋志棠,刘波,刘卫丽.硫系化合物随机存储器研究进展[J].微纳电子技术,2004,41(4):1-8. |
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| 作者姓名： | 封松林 宋志棠 刘波 刘卫丽 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家863计划资助项目(2003AA32720)，上海市纳米科技与产业发展促进中心资助项目(0352nm016，0359nm004，0252nm084)，国家973资助项目(001CB610408)，基础研究项目前沿课题(2001CCA02800)，上海市科委资助项目(03dz11009) |
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| 摘 要： | 系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品。
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| 关 键 词： | 硫系化合物随机存储器 Ge2Sb2Te5 纳电子器件 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)04-0001-07 |
| 修稿时间： | 2004年1月15日 |
A review and recent progress on C-RAM |
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| FENG Song-lin,SONG Zhi-tang,LIU Bo,LIU Wei-li.A review and recent progress on C-RAM[J].Micronanoelectronic Technology,2004,41(4):1-8. |
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| Authors: | FENG Song-lin SONG Zhi-tang LIU Bo LIU Wei-li |
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| Abstract: | The progress of chalcogenide random access memory(C-RAM)were reviewed systema-tically,including the memory principle,relative materials,current research state and development trend. Finally,the research progress about C-RAM in the Research Center of Functional Semiconductor Film Engineering Technology was introduced. Due to its advantages in high read rate,high write times,nonvolatile,small cell size,low cell energy consumption,and low cost,C-RAM has the capability to replace the conventional FLASH,DRAM,and SRAM and becomes the major semiconductor memory in the future. |
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| Keywords: | chalcogenide-random access memory Ge2Sb2Te5 nano-electronics device |
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