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| PI/AIN纳米复合薄膜结构与介电性能研究 | |
| 引用本文： | 李广,殷景华,刘晓旭,冯宇,田付强,雷清泉.PI/AIN纳米复合薄膜结构与介电性能研究[J].绝缘材料,2011,44(6). |
| 作者姓名： | 李广 殷景华 刘晓旭 冯宇 田付强 雷清泉 |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨理工大学应用科学学院 2. 哈尔滨理工大学应用科学学院;哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室,哈尔滨 150080 3. 哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室,哈尔滨,150080 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，黑龙江省自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/氮化铝(PI/AlN)纳米复合薄膜,用小角散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)对薄膜进行表征,研究了不同纳米掺杂量对材料电阻率、介电常数(ε)和介质损耗因数(tanδ)的影响.结果表明,随着纳米AlN含量的增加,分形结构由质量分形转变为表面分形,当AlN含量为1％时,复合薄膜的介电常数达到最低值,电阻率提高了一个数量级；介质损耗在低频范围内明显增加；AlN的掺杂提高了纳米复合薄膜的绝缘性能. |
| 关 键 词： | 聚酰亚胺 氮化铝 小角散射 介电常数 体积电阻率 |
Structure and Dielectric Properties of PI/AIN Hybrid Film |
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| Li Guang,Yin Jinghua,Liu Xiaoxu,Feng Yu,Tian Fuqiang,Lei Qingquan.Structure and Dielectric Properties of PI/AIN Hybrid Film[J].Insulating Materials,2011,44(6). | |
| Authors: | Li Guang Yin Jinghua Liu Xiaoxu Feng Yu Tian Fuqiang Lei Qingquan |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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