| 薄膜厚度对Y掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 徐从玉,廖家轩,王滨,张宝,李嶷云,张高俊.薄膜厚度对Y掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及介电性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2013(Z1):90-92. |
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| 作者姓名： | 徐从玉 廖家轩 王滨 张宝 李嶷云 张高俊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172034);中央高校基金(ZYGX2009X018);电子科技大学中青年学术带头人培养基金(Y02018023601053) |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在Si/SiO2/Ti/Pt基片上制备了不同厚度(正比于薄膜层数)的钇(Y)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了膜厚度对薄膜结构和介电性能的影响。原子力显微镜(AFM)表明,Y掺杂BST薄膜可显著改善表面形貌,且强烈依赖于薄膜厚度。当薄膜厚度适中(即当层数为8)时,表面晶粒细小、致密、均匀,晶界分明。X射线衍射(XRD)表明,Y掺杂BST薄膜显示钙钛矿结构,主要沿(110)晶面生长。随着薄膜厚度的增加,BST(110)峰的衍射强度先增后减,表明薄膜的相结构与薄膜厚度直接相关。Y掺杂BST薄膜显示优异的综合介电性能,且随着膜厚的增加,电容或介电常数减小。8层薄膜的综合介电性能最优,零偏压时的电容为17.8pF(介电常数130)、介电损耗为0.0057,调谐率为32%,优值因子为56,可满足微波调谐器件的需要。同时,就有关机理进行了分析。
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| 关 键 词： | Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜 钇掺杂 介电性能 薄膜厚度 |
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