| 集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨 |
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| 引用本文： | 孙可平,赵俊萍.集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨[J].中原工学院学报,2003,14(Z1):19-20. |
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| 作者姓名： | 孙可平 赵俊萍 |
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| 作者单位： | 上海海运学院,静电与电磁兼容研究室,上海,200135 |
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| 基金项目： | 上海市高等学校科技基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.
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| 关 键 词： | 介质击穿机理 ESD介质击穿 集成电路 |
| 文章编号： | 1671-6906(2003)S1-0019-02 |
| 修稿时间： | 2003年3月26日 |
Research on Mechanism of ESD Oxide Breakdown of IC Devices |
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| SUN Ke-ping,ZHAO Jun-ping.Research on Mechanism of ESD Oxide Breakdown of IC Devices[J].Journal of Zhongyuan Institute of Technology,2003,14(Z1):19-20. |
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| Authors: | SUN Ke-ping ZHAO Jun-ping |
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| Abstract: | On the basis of the physical model of ESD dielectric oxide breakdown of IC devices, this paper discusses the mechanism of ESD oxide breakdown when a first order voltage is applied across and oxide. |
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| Keywords: | mechanism of dielectric breakdown ESD dielectric breakdown IC devices |
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