| 低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管 |
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| 引用本文： | 郑丽萍,孙海锋,狄浩成,樊宇伟,王素琴,刘新宇,吴德馨.低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管[J].半导体学报,2004,25(8):908-912. |
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| 作者姓名： | 郑丽萍 孙海锋 狄浩成 樊宇伟 王素琴 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 北京100029
(郑丽萍，孙海锋，狄浩成，樊宇伟，王素琴，刘新宇)，中国科学院微电子研究所 北京100029(吴德馨) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 介绍L 波段、低偏置电压下工作的自对准In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器件工作在AB类,工作频率为2 GHz,集电极偏置电压仅为3V时,尺寸为2×(3μm×1 5 μm)×1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为4 5 % ,线性增益为1 0 d B的良好性能
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| 关 键 词： | 自对准 InGaP 功率双异质结晶体管 低偏置电压 |
Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTs with a Low Bias Voltage |
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| Zheng Liping.Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTs with a Low Bias Voltage[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(8):908-912. |
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| Authors: | Zheng Liping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | self aligned InGaP power HBTs low bias voltage |
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