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| Cr：KTiOPO4晶体缺陷的研究 | |
| 引用本文： | 胡秀琴,马长勤,等.Cr：KTiOPO4晶体缺陷的研究[J].同步辐射装置用户科技论文集,2000(1):310-313. |
| 作者姓名： | 胡秀琴 马长勤 |
| 作者单位： | [1]山东教育学院，济南250013 [2]山东大学化学院，济南250100 |
| 摘 要： | 首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂，用Opton大型显微镜反射法观察，观测到（100）面和（021）面的位错蚀坑以及（021）面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出（001）面、（010）面和（100）面形貌面，从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出，Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。 |
| 关 键 词： | Cr：KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体 铬 掺杂 磷酸钛氧钾 |
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