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垂直磁化膜微畴结构的SEM观察
引用本文:戴道文,沈能方.垂直磁化膜微畴结构的SEM观察[J].电子显微学报,1988(3).
作者姓名:戴道文  沈能方
作者单位:华中理工大学,华中理工大学
摘    要:随着微磁学的高密度磁存贮技术的迅速发展,人们迫切需要以更高的分辨率观察大块试样表面的微畴结构。通常使用的粉纹图法和磁光法等观察方法已不能满足要求。本文研究了用SEM观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果,获得了满意的效果。该法主要分两部分:1.在试样表面制作高质量的粉纹图;2.用高倍率二次电子象观察试样表面磁性粒子的分布,从而可显示出磁畴的精细结构和磁化方向。图1是YIG单品垂直磁化膜在退磁态的磁畴结构象。图中磁性粒子的聚集图案清楚地显示出该薄膜具有片状“迷宫畴”结构,畴宽约1.9μm,饱和磁化失量Ms垂直于膜面,+Ms和-Ms呈周期分布。图2是TbFeCo非晶垂直磁化膜退磁后的磁畴结构象。磁性粒子在畴壁表面漏磁场的作用下聚集在畴

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