| (Ga,Mn)As稀磁半导体的杂质动力学模拟研究 |
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| 引用本文： | 张玉光,唐 政.(Ga,Mn)As稀磁半导体的杂质动力学模拟研究[J].材料导报,2015,29(20):144-147. |
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| 作者姓名： | 张玉光 唐 政 |
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| 作者单位： | 华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61425004;11175066);上海市科委(15×D1501500) |
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| 摘 要： | 结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As中Mn杂质的沉积动力学规律。利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了Mn杂质的跃迁势垒和结合能,并把这些能量作为动力学蒙特卡罗模拟(Ga,Mn)As微观结构演化的输入数据。结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制是Ga空位调节Mn原子在Ga子晶格上进行扩散。这种扩散会导致Mn原子的聚集,进而降低了居里温度。此外,随着退火温度的升高Mn团簇聚集的速率也更快。在高温退火下容易导致相分离。
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 掺杂 动力学蒙特卡罗 |
Simulations of Dopant Dynamics in Diluted Magnetic Semiconductor (Ga,Mn)As |
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| Keywords: | diluted magnetic semiconductor dopant Kinetic Monte Carlo |
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