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| 非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度 | |
| 作者姓名： | 张秀淼 贺国根 |
| 作者单位： | 杭州大学物理系(张秀淼)，杭州大学物理系(贺国根) |
| 摘 要： | 本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符. |
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