| 热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究 |
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| 引用本文： | 裴传奇,张志勇,张敏,杨辉,刘其娅,曾体贤.热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究[J].材料导报,2017,31(Z1):242-245. |
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| 作者姓名： | 裴传奇 张志勇 张敏 杨辉 刘其娅 曾体贤 |
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| 作者单位： | 西华师范大学物理与空间科学学院,南充 637002,中国科学院国家天文台,北京 100012,西华师范大学物理与空间科学学院,南充 637002,西华师范大学物理与空间科学学院,南充 637002,西华师范大学物理与空间科学学院,南充 637002,西华师范大学物理与空间科学学院,南充 637002 |
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| 基金项目： | 四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133)；中国科学院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514) |
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| 摘 要： | 采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。
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| 关 键 词： | 热蒸发 CdSe薄膜 退火温度 退火时间 |
Study on Annealing Technique for CdSe Thin Film Prepared by Vacuum Thermal Evaporation |
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| PEI Chuanqi,ZHANG Zhiyong,ZHANG Min,YANG Hui,LIU Qiya and ZENG Tixian.Study on Annealing Technique for CdSe Thin Film Prepared by Vacuum Thermal Evaporation[J].Materials Review,2017,31(Z1):242-245. |
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| Authors: | PEI Chuanqi ZHANG Zhiyong ZHANG Min YANG Hui LIU Qiya and ZENG Tixian |
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| Affiliation: | College of Physics and Space Science,China West Normal University, Nanchong 637002,National Astronomical Observatories, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100012,College of Physics and Space Science,China West Normal University, Nanchong 637002,College of Physics and Space Science,China West Normal University, Nanchong 637002,College of Physics and Space Science,China West Normal University, Nanchong 637002 and College of Physics and Space Science,China West Normal University, Nanchong 637002 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thermal evaporation CdSe film annealing temperature annealing time |
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