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一种基于衬底偏置技术的低压低功耗运算放大器设计
引用本文:窦建华,郭铭铭,潘敏. 一种基于衬底偏置技术的低压低功耗运算放大器设计[J]. 仪表技术, 2008, 0(5): 10-12
作者姓名:窦建华  郭铭铭  潘敏
作者单位:合肥工业大学,计算机与信息学院,安徽,合肥,230009
摘    要:讨论衬底偏置MOS管的工作原理,对其低压特性进行了分析和仿真.并基于CMOS衬底偏置技术,设计了两级CMOS运算放大器.在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Smart Spice进行模拟验证.模拟结果表明在在1.0V的低电源电压下,失调电压为457.4μV,开环差模电压增益约为68dB,单位增益带宽为2.3MHz,相位裕量为67.4°,且其功耗仅有35μW,仿真结果显示了衬底偏置技术用于超低压模拟电路设计的优势.

关 键 词:CMOS集成电路  低功耗  衬底偏置  运算放大器  衬底偏置  低压低功耗  运算放大器设计  Technique  Low Voltage  优势  模拟电路设计  超低压  显示  仿真结果  相位裕量  单位增益带宽  电压增益  差模  开环  失调电压  低电源电压  模拟结果  模拟验证  Smart
文章编号:1006-2394(2008)05-0010-03
修稿时间:2007-11-01

Low Power Low Voltage OP-amp Using Bulk-biased Technique
DOU Jian-hua,GUO Ming-ming,PAN Min. Low Power Low Voltage OP-amp Using Bulk-biased Technique[J]. Instrumentation Technology, 2008, 0(5): 10-12
Authors:DOU Jian-hua  GUO Ming-ming  PAN Min
Abstract:
Keywords:
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