| 用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态 |
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| 引用本文： | 杜瑞瑞,孙恒慧,董国胜.用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态[J].半导体学报,1983,4(1):69-77. |
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| 作者姓名： | 杜瑞瑞 孙恒慧 董国胜 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系
(杜瑞瑞，孙恒慧)，复旦大学物理系(董国胜) |
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| 摘 要： | 以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(12)/cm~2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为10~(11)/cm~2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后出现具有确定能级(E_c-E_s(?)0.40eV)的界面态密度宽峰.辐照引进的界面态和空穴被陷阱俘获有关,在1×10~(10)～5 × 10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)范围,禁带中央界面态密度正比于被俘获空穴的密度.辐照产生的界面态不能由电子注入加以消除.本文由空穴俘获-弱键破裂模型讨论了实验结果.
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