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| 军用技术转民用推广目录(续) | |
| 摘 要： | <正>58 GaN HEMT外延材料【技术开发单位】中国电子科技集团公司第五十五研究所【技术简介】GaN HEMT材料具有低的导通电阻、高的工作频率,能满足下一代功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。相对于同为宽禁带半导体的SiC大功率器件,GaN高功率器件不仅具有耐高压以及高电流的特性,更具有开关速度快,在同样的耐压条件下,导通电阻远低于SiC |
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