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| MOS场效应晶体管特性与应用 | |
| 作者姓名： | 蒋洪瑶 王生学 |
| 作者单位： | 上海工业大学，上海工业大学 |
| 摘 要： | 一、MOS场效应晶体管导电机构及原理 MOS场效应晶体管(简称MOS管)是一种新型的半导体器件,图1是 N沟导 MOS管芯结构原理图,即在 P型硅基片上有两个 N~+扩散区,其中一个称源,用S表示,另一个称漏,用 D表示,在 D和 S间的硅片上覆盖了较薄的 SiO_2绝缘层和金属层,并引出一电极, |
| 关 键 词： | MOS 场效应晶体管 导电机构 应用 |
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