| Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的耐压特性研究 |
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| 引用本文： | 朱斌,张洪波,王文君,李司中,赵强,陈宏伟,杨传仁,张继华. Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的耐压特性研究[J]. 压电与声光, 2013, 35(1): 112-115 |
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| 作者姓名： | 朱斌 张洪波 王文君 李司中 赵强 陈宏伟 杨传仁 张继华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51172035) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了基片、退火温度及膜厚对薄膜耐压特性的影响。结果显示,铝酸镧(LaAlO3)基片上制备的BST薄膜表面较平整,有较好的耐压;随着退火温度从750℃提高到850℃,BST薄膜晶粒长大,电击穿概率有所增加,750℃是一个较合理的退火温度。在优化的工艺条件下,BST薄膜耐压可达125V/μm。
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| 关 键 词： | Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜 铁电 耐压 集成电容 |
Study on Voltage Withstand Property of Ba0.6Sr0.4TiO3 Thin Films |
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| ZHU Bin,ZHANG Hongbo,WANG Wenjun,LI Sizhong,ZHAO Qiang,CHEN Hongwei,YANG Chuanren and ZHANG Jihua. Study on Voltage Withstand Property of Ba0.6Sr0.4TiO3 Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2013, 35(1): 112-115 |
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| Authors: | ZHU Bin ZHANG Hongbo WANG Wenjun LI Sizhong ZHAO Qiang CHEN Hongwei YANG Chuanren ZHANG Jihua |
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| Affiliation: | (State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BST films ferroelectric voltage withstand integrated capacitor |
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