| 冲蚀磨损下单晶硅(111)面的断裂行为 |
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| 引用本文： | 朱流,郦剑,凌国平,沃银花. 冲蚀磨损下单晶硅(111)面的断裂行为[J]. 浙江大学学报(工学版), 2003, 37(4): 496-498 |
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| 作者姓名： | 朱流 郦剑 凌国平 沃银花 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料与化工学院，浙江大学材料与化工学院，浙江大学材料与化工学院，浙江大学材料与化工学院 浙江杭州310027，浙江杭州310027，浙江杭州310027，浙江杭州310027 |
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| 摘 要： | 实验选取单晶硅为研究对象，分别经静态压下、球形粒子冲击试验和角状粒子冲击试验，然后对各种材料表面断裂形态进行了比较，探究了固体颗粒冲蚀的磨损机制，阐述了在冲蚀条件下，试样有限表层空间所发生的特有的绝热应变，以及塑性耗尽时由绝热应变所导致的材料最终断裂，讨论了材料表层赫兹断裂与解理断裂之间的竞生现象，发现晶体学特征对冲蚀过程中材料表层断裂有很大影响，因此在一般的冲蚀过程中不能忽视。
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| 关 键 词： | 单晶硅 断裂行为 冲蚀磨损 断裂形态 绝热应变 固体颗粒冲蚀 晶体学 赫兹断裂 解理断裂 |
| 文章编号： | 1008-973X(2003)04-0496-03 |
| 修稿时间： | 2002-09-05 |
(111) Plane fracture behavior of single-crystalline silicon by solid particle impacting |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Single-crystalline silicon surface fracture solid part icle impacting crystalline bonding characteristic |
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