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| 高纯金属与半导体材料 | |
| 摘 要： | 叻1 572硅材料和器件工艺若干问题探讨-一 (叶仰林、包宗明),《电子与自动化》,1980 年,卜目,1一6601 573化合物半导体界面物理第六届年会会议 录--一《J .of Vaeuum Seieneo and te- ehno】ogy》,197{平,Vol,J6,沁5,1101一 1 596。 此次年会于1979年1月30日一2月1日在美国力Tl州Paeifie Grove召开,参加会议的代表有来自美国27个州和11个其它国家的240名科学家,其中的万是工业组织的代表.文集中汇集了会上交流的论文109篇。601 514化合物半导体的材料设计一(权田俊 一)《材料科学》,1979,16,沁4一5,185 一191(日文)6 015了5测量电视与计… |
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