CVD法制备高纯钛过程中杂质铁的行为研究

研究了CVD法制备高纯钛过程中杂质铁的行为;通过对卤化亚铁的相关热力学计算,分析了卤化亚铁的合成与分解条件。研究结果表明,最佳卤化温度为800~1 000K,最佳裂解沉积温度为1 400~1 650K,在此温度范围内,不仅可高效生产高纯钛,还可有效抑制杂质铁带来的二次污染。