Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放 |
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引用本文: | 谭春雨,夏日源,刘清前,刘吉田,王承瑞,赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌.Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放[J].真空科学与技术学报,1983(5). |
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作者姓名: | 谭春雨 夏日源 刘清前 刘吉田 王承瑞 赵玉华 郑胜男 许国基 徐永昌 |
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作者单位: | 山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,中国科学院原子能研究所,中国科学院原子能研究所,中国科学院原子能研究所,中国科学院原子能研究所 |
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摘 要: | 采用2MeV ~4He~+离子的卢瑟福(Rutherford)背散射技术详细地研究了Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放行为。Al(Cr)层中的Ar和Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30KeV,Ar的注入剂量为4.3×10~16at./cm~2;Xe的注入剂量为5.2×10~15at·/cm~2恒时退火累积分数释放额的测量表明,Ar和Xe在Al(Cr)层中有着十分不同的释放行为,Ar的迁移和释放较快,而Xe没有观察到明显的释放。气体原子尺寸的不同使得它们与晶格缺陷有着十分不同的束缚能。
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