| 立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 孙一军,李爱珍,齐鸣. 立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜[J]. 半导体学报, 2001, 22(3): 313-316 |
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| 作者姓名： | 孙一军 李爱珍 齐鸣 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国,上海200050 |
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| 摘 要： | 立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制备出了 Ga N薄膜 . XRD测试表明 ,薄膜具有单一的相 .结合对工艺条件的分析 ,认为薄膜具有六方结构 .最后 ,通过 Raman光谱测试 ,证实在立方 Ga As衬底上制备出了单相六方 Ga N薄膜 .还对立方 Ga As衬底上制备出六方 Ga N薄膜的原因进行了讨论
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 氮化镓 砷化镓衬底 六方结构 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）03-0313-04 |
| 修稿时间： | 2000-02-12 |
Preparation of Single Phase Hexagonal GaN on GaAs (100) Substrate by MOCVD |
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| SUN Yi jun,LI Ai zhen and QI Ming. Preparation of Single Phase Hexagonal GaN on GaAs (100) Substrate by MOCVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(3): 313-316 |
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| Authors: | SUN Yi jun LI Ai zhen QI Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD GaN GaAs substrate hexagonal structure |
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