| 一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 王良坤, 马成炎, 叶甜春.一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计[J].电子器件,2008,31(3):841-844. |
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| 作者姓名： | 王良坤 马成炎 叶甜春 |
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| 作者单位： | 1. 中科院微电子研究所,北京,100029
2. 杭州中科微电子有限公司,杭州,310053 |
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| 摘 要： | 提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25μm RF CMOS工艺制作.与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了级间耦合电容,使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善.该放大器的正向功率增益为21.8 dB,NF为0.96 dB,IIP3为-11 dBm,功耗为20 mW,且输入输出阻抗匹配良好,满足GPS接收机射频前端对低噪声放大器的要求.
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| 关 键 词： | CMOS射频集成电路 低噪声放大器 耦合电容 噪声系数 全球定位系统 低噪声放大器 放大器设计 Design 接收机射频前端 阻抗匹配 输入输出 功耗 改善 关键性能指标 噪声系数 功率增益 耦合电容 级间 电路 共源共栅结构 工艺制作 RF CMOS TSMC 应用 |
| 文章编号： | 1005-9490(2008)03-0841-04 |
| 修稿时间： | 2007年3月30日 |
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