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| AllnSb、GaInSb双异质结的外延生长 | |
| 作者姓名： | 曾志龙 |
| 摘 要： | 日本科学技术厅金属材料研究所最近已使AlInSb/GaInsb/AlInSb双异质结外延生长获得成功。它是通过用AlInSb抑制保护层将GaInSb活性层由两侧夹住以构成双异质结,然后在晶格常数不同的衬底上外延生长成薄膜而实现的。目前在2～3μm波段的中红外光范围内振荡的半导体激光器,因缺乏能使GaInSb、AlInSb外延生长且晶格常数又相匹配的衬底材料而无法实现。该研究所通过将GaInSb作为松弛晶格应变的缓冲层而解决了上述 |
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