| 采用双振荡器结构的低功耗CMOS温度传感器 |
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| 引用本文： | 彭华,王用鑫. 采用双振荡器结构的低功耗CMOS温度传感器[J]. 电子器件, 2016, 39(6) |
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| 作者姓名： | 彭华 王用鑫 |
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| 作者单位： | 重庆电子工程职业学院应用电子学院 |
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| 摘 要： | 为提高温度传感器的能量转换效率并降低功耗，提出了一种基于双振荡器的CMOS温度传感器。提出的温度传感器利用两个环形振荡器生成随温度变化的频率，通过调整线性频率的差斜率，来提高温度传感器的线性度，最后使用一个频率数字转换器完成数字输出。此外，还提出了一个制程补偿方案，经过一点校正法后可提高温度传感器的精确度。采用65 nm CMOS工艺进行了实现，面积仅为0.01mm2。测试结果显示，校正后提出温度传感器的分辨率为0.2℃/LSB，并且在0℃~125℃的温度范围内，20个实测样品的最大误差小于±1.2℃。相比其他类似传感器，当转换率高达480kS/s时，功率消耗500?W，即每次转换的能量最小，仅为0.001J/sample
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| 关 键 词： | 温度传感器；双振荡器；制程补偿；低功耗 |
Low power CMOS temperature sensor with dual oscillator structure |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | temperature sensor dual oscillator process compensation low power consumption |
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