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一种高精度过温保护电路的设计
引用本文:谭玉麟,冯全源.一种高精度过温保护电路的设计[J].电子器件,2016,39(1).
作者姓名:谭玉麟  冯全源
作者单位:西南交通大学微电子研究所
基金项目:国家自然科学基金项目,四川省科技支撑计划项目
摘    要:基于UMC 0.25um BCD工艺,设计了一款高精度过温保护电路。通过基准电路中三极管的基极-发射极电压的负温度特性实现温度检测,调节电阻的比值产生迟滞温度量,避免了电路热振荡现象。经过HSPICE仿真验证,电路在温度130℃时,过温保护信号发生翻转,关断芯片,待温度降低到99℃时再次开启,具有31℃迟滞量。在电源电压变化时,过温保护电路的过温阈值和迟滞温度量偏差最大仅为0.24℃。

关 键 词:过温保护  BCD  迟滞  热振荡

Design of a High Precision Thermal-Shutdown Circuit
Abstract:
Keywords:Thermal-shutdown  BCD  Hysteresis  Thermal oscillation
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