|
|||||
|
|
| 基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器 | |
| 引用本文： | 李硕明. 基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器[J]. 电子器件, 2016, 39(4) |
| 作者姓名： | 李硕明 |
| 作者单位： | 中山职业技术学院 |
| 摘 要： | 为在较大温度范围内实现高精度的片上温度检测，提出一种基于新型延迟电路的CMOS时域温度传感器。该传感器以新型延迟电路为基础，利用二极管连接的双极结型晶体管（BJT）生成PWM信号，相较于其它时域温度传感器，仅需要单一偏置电流以及比较器就可生成PWM信号；利用简易的数字计数器可确定占空比，且占空比会被转换成数字值；传感器设计采用了0.18 μm CMOS技术。实际测试结果显示，相较于其它类似传感器，提出的传感器在较宽的温度范围内精确度较高；在两个温度点上进行数字校准之后，在0℃~125℃范围内的精确度为±0.1℃；电源为1.5V时，此传感器仅消耗了2.48 μA，功耗为3.8 μW。关键词：时域温度传感器；延迟电路；低电压低功率；时间数字转换器（TDC） |
| 关 键 词： | 时域温度传感器；延迟电路；低电压低功率；时间数字转换器（TDC） |
CMOS on-chip temperature sensor based on a novel delay circuit |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | Time domain temperature sensor delay circuit low voltage and low power time to digital converter (TDC) |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《电子器件》下载免费的PDF全文 | |