形核物对铸锭多晶硅晶体生长的影响

对硅铸锭过程中的长晶阶段进行模拟和实验对比分析，研究二氧化硅种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状。采用光致发光仪（PL）研究硅片的杂质和缺陷[1-2]分布，用微波光电导仪（u-PCD）研究了铸锭多晶硅锭少子寿命[3-4]的分布图。当形核物为SiO2, SiO2的尺寸为20um,形核温度为1430℃时制备的硅片表面相对完美,结构致密。