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杂志ISSN号
基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源
作者姓名:
陈培腾
王卫东
黎官华
作者单位:
桂林电子科技大学
摘 要:
利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差△VGS产生高阶补偿量,对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源。电路基于CSMC 0.5um标准CMOS工艺设计,仿真结果表明:在5V电源电压下,基准输出电压为1.258V;在-40~125℃的温度范围内,温度系数为1.24ppm/℃;低频时电源抑制比PSRR为-68dB;电源电压在3.5~6.5V范围内工作,线性调整率为0.4mV/V。适用于高精度带隙基准源。
关 键 词:
带隙基准源;亚阈区;低温度系数
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