| 集成电路设计中利用填充金属优化压降的方法 |
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| 引用本文： | 王沛东,郭炜,谢憬. 集成电路设计中利用填充金属优化压降的方法[J]. 电子技术, 2008, 45(6) |
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| 作者姓名： | 王沛东 郭炜 谢憬 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子学院;上海交通大学微电子学院;上海交通大学微电子学院 |
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| 摘 要： | 文章提出了一种在深亚微米集成电路设计中优化压降的创新方法,文中重点介绍了压降的成因及利用填充金属优化压降的方法,比如填充金属层次的优化选择、金属形状及方向的优化、目标密度的设置、时序控制等,使得优化后的压降有5%的降低.
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| 关 键 词： | 填充金属 压降 金属密度 |
Optimization of IR drop by Metal filler in IC Design |
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| Wang Peidong,Guo wei,Xie Jing. Optimization of IR drop by Metal filler in IC Design[J]. Electronic Technology, 2008, 45(6) |
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| Authors: | Wang Peidong Guo wei Xie Jing |
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