| CMOS亚阈型带隙电压基准的分析与设计 |
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| 引用本文： | 吴金,刘桂芝,张麟. CMOS亚阈型带隙电压基准的分析与设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2005, 25(3): 375-378,384 |
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| 作者姓名： | 吴金 刘桂芝 张麟 |
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| 作者单位： | 东南大学无锡分校,南京,210096;上海南麟电子有限公司,上海,200122 |
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| 摘 要： | 带隙基准可提供近似零温度系数和大的电源电压抑制比的稳定电压基准,且与工艺基本无关。文中分析了M O SFET工作于强反型区与亚阈区的电压和电流限定条件,结合自偏置电路结构,给出了一种基于亚阈区的低功耗CM O S带隙基准电路的设计。
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| 关 键 词： | 带隙 基准电压 亚阈区 |
| 文章编号： | 1000-3819（2005）03-0375-04 |
| 收稿时间： | 2003-08-26 |
| 修稿时间： | 2003-08-262003-12-02 |
Sub-threshold Operation CMOS Bandgap Voltage Reference Design |
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| WU Jin,LIU Guizhi,ZHANG Lin. Sub-threshold Operation CMOS Bandgap Voltage Reference Design[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2005, 25(3): 375-378,384 |
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| Authors: | WU Jin LIU Guizhi ZHANG Lin |
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| Abstract: | Bandgap Reference can provide stable voltage with nearly zero temperature coefficient and larger PSRR,and also are process unrelated.Based on the limitation condition for MOSFET operation in sub-threshold,one kind of basic sub-threshold low power voltage reference by a self-biasing circuits and its design method are presented in this paper. |
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| Keywords: | bandgap voltage reference sub-threshold region |
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