AlGaAs-GaAs异质结选择性干法腐蚀 |
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引用本文: | Kohki Hikosaka,东熠.AlGaAs-GaAs异质结选择性干法腐蚀[J].微纳电子技术,1987(3). |
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作者姓名: | Kohki Hikosaka 东熠 |
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摘 要: | 使用CCl_2F_2和He组成的腐蚀气体对GaAs-Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)的选择性干法腐蚀进行了研究。腐蚀是在气体成份比P_(CCl_2F_2)/P_(HE)大于0.25、总压力为0.5~5.0Pa、功率密度为0.18~0.53W/cm~2的条件下进行的,在气体成份比P_(CCl_2F_2)/P_(He)=1、工作压力5Pa,功率密度0.18W/cm~2情况下,获得超过200的高选择速率比和规则的腐蚀剖面图形。在上述条件下,GaAs的腐蚀图形呈现出近乎垂直壁特征。
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