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电子材料
摘 要:
正硅基砷化镓量子点激光器有望推动光计算发展日本东京大学科研人员首次在电泵浦硅基砷化铟/砷化镓量子点激光器中,实现1.3μm激射波长。采用分子束外延技术在硅(001)轴上直接生长砷化镓。在采用分子束外延技术生长量子点层之前,通常采用金属有机化学气相沉积法沿硅(001)轴生长。实现分子束外延引晶技术的替代技术涉及切割衬底,避免贯穿位错、反相边界和裂等晶体缺陷的产生。不幸的是,离轴硅与主流基于
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