g-C_3N_4光催化材料的制备及降解水中头孢曲松钠

采用高温煅烧法成功制备了块状g-C_3N_4和g-C_3N_4纳米材料,利用XRD、SEM、FT-IR、UV-Vis、PL等方法对材料进行表征,并研究其降解头孢曲松钠的光催化活性和机理。当降解时间为120 min、头孢曲松钠质量浓度为10 mg/mL、半导体材料的加入量为0.1 g时,块状g-C_3N_4和g-C_3N_4纳米材料的降解率分别为67.74%和85.84%,g-C_3N_4纳米材料的光催化活性高于块状g-C_3N_4;对催化机制研究发现,空穴(h+)和羟基自由基(·OH)起主要催化作用,超氧自由基(·O_2~-)次之。对g-C_3N_4纳米材料的稳定性进行评价,3次循环催化后材料稳定性良好。