|
|||||
|
|
| 集成电路先进制造技术进展与趋势 | |
| 作者姓名： | 张睿 虞小鹏 程然 沈强 耿红艳 高大为 吴汉明 |
| 作者单位： | 浙江大学,微纳电子学院,先进集成电路制造技术研究所,浙江 杭州 311200;浙江大学,杭州国际科创中心,浙江 杭州 311200;芯创智(北京)微电子有限公司,北京 100871 |
| 摘 要： | [目的]近年来随着摩尔定律逼近物理极限,传统的器件尺寸微缩变得越来越困难.尽管近年来人们开始尝试探索以碳基材料为代表的新材料、以量子计算为代表的新原理集成电路技术,但以传统硅基场效应晶体管为基础的CMOS电路仍将是集成电路发展的优选方案和主流趋势.为了持续提升集成电路性能和集成度,场效应晶体管器件技术出现了重大变革,并... |
| 关 键 词： | 集成电路 先进制造技术 电学性能 集成度 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |