| 1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应 |
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| 引用本文： | 廖志君,祖小涛,王浙辉,林理彬.1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应[J].中国激光,2001,28(6):497-500. |
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| 作者姓名： | 廖志君 祖小涛 王浙辉 林理彬 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系“辐射物理及技术”重点实验室!成都610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (编号 :6 95 76 0 17)资助项目 |
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| 摘 要： | 1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。
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| 关 键 词： | InGaAsp半导体激光器 电子辐照 Y2O3ZrO2膜 |
| 收稿时间： | 1999/11/2 |
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