摘 要: | 1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4~ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ~ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。
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