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| 硅中“氢-缺陷络合物”施主行为的研究 | |
| 引用本文： | 王正元,林兰英.硅中“氢-缺陷络合物”施主行为的研究[J].半导体学报,1982,3(6):440-449. |
| 作者姓名： | 王正元 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (王正元)，中国科学院半导体研究所(林兰英) |
| 摘 要： | 通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c-0.037eV,E_c-0.265eV.证实该施主中心的产生,跟材料中硅氢键以及某种结构正在研究的特定缺陷的存在密切相关.还通过多方面实验证实,它同已知的“450℃退火形成的氧施主”完全不同.最后指出,利用在氢气中区熔生长的NTD硅来研究孤立氢原子在硅中的行为,比用其他方法更为有利.这为氢在硅中的电活性提供了新的证据. |
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